介紹了不同硅基太陽(yáng)電池技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其所用正面導(dǎo)電銀漿的作用及組成，對(duì)比了國(guó)內(nèi)外各正銀漿料供應(yīng)商針對(duì)不同電池技術(shù)所研發(fā)的正面銀漿，分析了各種正銀漿料產(chǎn)品的不同與現(xiàn)狀，總結(jié)并展望了未來(lái)高效電池技術(shù)及正銀漿料發(fā)展的方向，為未來(lái)光伏技術(shù)的發(fā)展及正銀漿料國(guó)產(chǎn)化提供了一定的思路

1、不同硅基太陽(yáng)能電池技術(shù)

晶體硅太陽(yáng)電池主要由經(jīng)過(guò)不同工藝處理的硅基片、正面電極、鋁背場(chǎng)及背面電極等組成。圖1～圖5分別為不同技術(shù)的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1為常規(guī)太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖，常規(guī)太陽(yáng)能電池的制備工藝簡(jiǎn)單、成本較低，但和其他硅基太陽(yáng)能電池技術(shù)相比，其轉(zhuǎn)換效率較低。

PERC太陽(yáng)能電池，即鈍化發(fā)射極及背面太陽(yáng)電池，結(jié)構(gòu)如圖2所示。PERC太陽(yáng)能電池與常規(guī)太陽(yáng)能電池的主要區(qū)別在于[5]：1)PERC太陽(yáng)能電池在背表面有鈍化介質(zhì)層( 多為Al2O3) 和保護(hù)層( 多為SiNx);2) 常規(guī)太陽(yáng)能電池鋁背場(chǎng)與硅片完全接觸，而PERC太陽(yáng)能電池鋁背場(chǎng)是通過(guò)激光開窗的空洞區(qū)域與硅片進(jìn)行局部接觸。

圖3為n型晶體硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖。n型晶體硅太陽(yáng)能電池較p型晶體硅太陽(yáng)電池具有少子壽命高、光致衰減小等優(yōu)點(diǎn)，有更大的效率提升空間。同時(shí)，n型晶體硅太陽(yáng)能電池還具有弱光響應(yīng)好、溫度系數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)。

IBC太陽(yáng)能電池，即叉指背電極太陽(yáng)能電池，結(jié)構(gòu)如圖4所示[6]。其優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在[7]：1) 轉(zhuǎn)換效率高，正面無(wú)柵線使入射光子數(shù)量最大化;2)表面輕摻雜，增強(qiáng)了短波光譜響應(yīng);3) 基區(qū)和發(fā)射區(qū)的電極均制作在背面，可實(shí)現(xiàn)電池正、負(fù)極焊線的共面拼裝，簡(jiǎn)化了光伏組件制作工藝流程，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，提高生產(chǎn)效率。

圖5為HIT太陽(yáng)能電池( 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池)結(jié)構(gòu)示意圖[8-9]。HIT太陽(yáng)能電池以高質(zhì)量超薄本征非晶硅層對(duì)晶體硅基底材料的兩面進(jìn)行鈍化，降低表面復(fù)合損耗，提高了器件對(duì)光生載流子的收集能力，從而形成高效的新型晶體硅太陽(yáng)電池。其主要優(yōu)勢(shì)有[10-11]：1) 采用低溫技術(shù)，整個(gè)燒結(jié)工藝可在200 ℃左右完成，減少能耗，降低成本;2) 光電轉(zhuǎn)換效率高;3) 穩(wěn)定性好，沒有形成B-O復(fù)合體而導(dǎo)致的光衰效應(yīng)。

2、硅基太陽(yáng)電池用正銀漿料

2.1正銀漿料在太陽(yáng)電池中的作用

正銀漿料是通過(guò)絲網(wǎng)印刷將銀漿印刷在晶體硅片上，然后經(jīng)過(guò)烘干和燒結(jié)工藝在硅片表面形成電極或電路。在光照條件下，硅片中的p-n結(jié)產(chǎn)生的光生電子會(huì)朝著電池正面電極運(yùn)動(dòng)，空穴朝著背電極運(yùn)動(dòng)。如果電子運(yùn)動(dòng)到正面電極之前未被缺陷或雜質(zhì)復(fù)合就會(huì)被電極收集，進(jìn)而形成電流流至外電路。因此，這對(duì)漿料的要求較高，如形成良好的歐姆接觸、低的接觸電阻、良好的印刷性、良好的附著力等。漿料的質(zhì)量和性能對(duì)晶體硅太陽(yáng)電池的效率有重要影響，近年來(lái)晶體硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的提高大部分要?dú)w功于漿料的改善，尤其是正銀漿料。不過(guò)由于不同種類太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和制備工藝有差別，對(duì)正銀漿料的性能要求也有所差異，主要包括高溫型和低溫型，分別應(yīng)用于晶體硅太陽(yáng)電池和HIT太陽(yáng)電池。

2.2正銀漿料的分類與組成

高溫?zé)Y(jié)型正銀漿料一般由銀粉、玻璃粉和有機(jī)載體等組成。由于銀具有良好的導(dǎo)電性，且相對(duì)于其他貴金屬而言價(jià)格便宜，因此在導(dǎo)電漿料中具有導(dǎo)電功能，銀粉一般占漿料總量的80%～90%[4]。文獻(xiàn)[12-15] 的研究結(jié)果表明，銀粉粒徑分布、微觀形貌、含量等對(duì)太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率有重要影響。目前銀漿中廣泛使用的是微米、亞微米級(jí)超細(xì)球形銀粉，能與硅基片形成良好的歐姆接觸，接觸電阻較低，導(dǎo)電性良好。玻璃粉作為無(wú)機(jī)粘結(jié)劑，決定著導(dǎo)電漿料對(duì)太陽(yáng)電池減反射膜的腐蝕穿透力和銀膜電極與硅基體的結(jié)合力;以及溶解Ag，并輸送到Ag/Si界面，保證Ag 與Si 形成良好的歐姆接觸。玻璃粉一般占漿料總量的2%～10%[4]。文獻(xiàn)[16-18]的研究發(fā)現(xiàn)，具有適當(dāng)融化溫度和潤(rùn)濕能力的玻璃粉，有助于降低銀電極體電阻和接觸電阻，增加焊接拉力，是獲得最佳電池性能的關(guān)鍵因素之一。有機(jī)載體主要由有機(jī)溶劑、樹脂、添加劑等組成，其作用是分散和潤(rùn)濕漿料中的銀粉及玻璃粉，控制漿料的流變性能，使?jié){料具有良好的印刷性能，最后在燒結(jié)的過(guò)程中揮發(fā)出去，一般占漿料總量的5%～15%[19]。通過(guò)調(diào)節(jié)有機(jī)載體的組成和含量可以改變漿料的粘度、揮發(fā)性、觸變性等性能，使?jié){料在印刷時(shí)具有較高的流動(dòng)性，增大柵線高寬比，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。正銀漿料這些組成成分的性能和比例會(huì)直接影響太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。

2.3低溫固化型正銀漿料

HIT 太陽(yáng)電池的正面電極通常在200 ℃左右進(jìn)行燒結(jié)，因此，必須使用低溫型電極漿料。低溫銀漿成分主要由銀粉、樹脂、溶劑及添加劑組成[8-9]。其中，銀粉為導(dǎo)電相，樹脂是粘結(jié)相，溶劑用來(lái)溶解樹脂、控制漿料的揮發(fā)性等，添加劑則是用來(lái)改變漿料的各種性能，使其適用于HIT 太陽(yáng)電池電極的印刷和固化工藝。

低溫固化型正銀漿料中，一種為熱塑性漿料，采用熱塑性樹脂，其溶劑含量較多，固化工藝窗口較窄[10];另一種采用熱固性樹脂，稱為熱固性漿料，加熱時(shí)，熱固性聚合物在相鄰的聚合鏈間形成化學(xué)鍵，導(dǎo)致形成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，比熱塑性漿料形成的二維結(jié)構(gòu)要?jiǎng)傆瞇11]。

3、適用于不同太陽(yáng)電池技術(shù)的正銀漿料

導(dǎo)電銀漿的品質(zhì)對(duì)太陽(yáng)電池的電性能起著決定性作用，優(yōu)質(zhì)的導(dǎo)電銀漿是制造高效太陽(yáng)電池的關(guān)鍵。雖然目前國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的漿料市場(chǎng)占有率較低，但在國(guó)內(nèi)漿料生產(chǎn)商的努力下，國(guó)產(chǎn)漿料與進(jìn)口漿料的性能差距已經(jīng)較小，主要是穩(wěn)定性與品牌知名度還亟需提高。表1～表5列舉了國(guó)內(nèi)外漿料商為不同結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池設(shè)計(jì)的最新正銀漿料的性能參數(shù)[20]。

由于常規(guī)太陽(yáng)電池技術(shù)的發(fā)展較為成熟，其使用的正銀漿料研發(fā)較早、技術(shù)更新較快、國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品型號(hào)較多，部分國(guó)產(chǎn)漿料在性能上可與進(jìn)口漿料相媲美。目前，國(guó)內(nèi)只有少部分企業(yè)采用無(wú)鉛玻璃粉。PERC太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)和常規(guī)太陽(yáng)電池相比，主要區(qū)別在于背表面沉積鈍化層和激光開窗結(jié)構(gòu)，就正面結(jié)構(gòu)而言區(qū)別較小，PERC太陽(yáng)電池的燒結(jié)溫度相對(duì)較低些，因此，有些常規(guī)太陽(yáng)電池正面銀漿可以兼容PERC太陽(yáng)電池。n型晶體硅太陽(yáng)電池，如IBC太陽(yáng)電池，由于其特殊的結(jié)構(gòu)和制備工藝，其導(dǎo)電銀漿中導(dǎo)電相為Ag-Al合金，可以在p+發(fā)射極硅表面獲得低接觸電阻。對(duì)于HIT太陽(yáng)電池而言，高溫會(huì)對(duì)電極下面摻雜的非晶硅薄膜產(chǎn)生損傷[21]，因此必須采用低溫漿料。低溫漿料中不含玻璃粉，固化溫度在200℃以下，無(wú)銀粉燒結(jié)過(guò)程，銀粉之間、銀與硅之間通過(guò)有機(jī)樹脂相進(jìn)行粘結(jié)。

4、總結(jié)與展望

目前，為了使光伏發(fā)電具有競(jìng)爭(zhēng)力，提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率且降低其生產(chǎn)成本是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心目標(biāo)。未來(lái)的硅基高效技術(shù)主要是基于n型和PERC技術(shù)來(lái)制備方阻高、少子壽命高、光致衰減小、弱光響應(yīng)好的硅基片。其中，PERC 太陽(yáng)電池在生產(chǎn)上相對(duì)容易實(shí)施，只需在常規(guī)太陽(yáng)電池的制備工藝中增加2 個(gè)工序：沉積背面鈍化疊層和背面鈍化層激光開窗。對(duì)銀漿而言，電阻小、高寬比大、降低銀含量、玻璃粉無(wú)鉛化是未來(lái)的發(fā)展目標(biāo)。綜上所述，為了提高太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率，降低度電成本，越來(lái)越多的電池技術(shù)涌現(xiàn)，導(dǎo)電銀漿越來(lái)越專業(yè)化。因此，未來(lái)硅基太陽(yáng)電池技術(shù)和銀漿的發(fā)展主要趨勢(shì)為：

1) 采用基于n型晶體硅和PERC高效技術(shù)優(yōu)化太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，并針對(duì)不同太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)所需要的新型導(dǎo)電漿料;

2) 導(dǎo)電銀漿用銀粉粒徑超細(xì)化，多種粒徑的銀粉混合使用;

3) 玻璃粉無(wú)鉛化，有利于環(huán)境保護(hù);

4) 為了降低成本，在保證柵線印刷高精度的同時(shí)降低漿料中銀的含量。