日本東京工業大學和早稻田大學的一個聯合研究小組開發出一種新型薄膜單晶硅太陽能電池生產技術，這項新技術有望極大降低大規模生產的成本，同時還能保持較高的電池效率。

科學家們聲稱，他們能研制出一種優質薄膜單晶硅，其厚度約為10μm、且晶體缺陷密度被降低。其硅密度降低到硅晶片的水平，而增長速度超出先前的10倍以上。

研究人員通過一種區域加熱重結晶方法(ZHR法)，將表面粗糙度降低到0.2-0.3nm。基底然后以高速生長，生產出具有高晶體質量的單晶薄膜。利用雙層多孔硅層可以很容易將長好的薄膜剝離下來，基底可重復使用或作為薄膜生長的蒸發源，從而大幅減少了材料損失。這一工藝同時顯示，表面粗糙度在0.1-0.2nm范圍以內對晶體缺陷的形成具有重要影響。

科學家們在聲明中表示，這種薄膜硅作為低成本的底部電池，應用在串聯型太陽能電池中，其效率有可能超過30%。