數(shù)字電源遭哄搶 各芯片大佬都怎么說(shuō)
數(shù)位電源應(yīng)用版圖正逐漸從高階的云端、電信設(shè)備,向下滲透至液晶電視、個(gè)人電腦及智慧家庭等一般消費(fèi)性應(yīng)用;為搶占市場(chǎng)大餅,數(shù)位電源晶片商已競(jìng)相推出支援PMBus介面的解決方案,以及同時(shí)具備類比和數(shù)位電路的復(fù)
意法半導(dǎo)體(ST)資深行銷經(jīng)理Francesca Sandrini亦認(rèn)為,雖然性能正在大幅提升的MCU可能有助于數(shù)位電源市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大,但是MCU方案只適用于發(fā)展相當(dāng)成熟穩(wěn)定的應(yīng)用市場(chǎng),而對(duì)新的數(shù)位電源應(yīng)用領(lǐng)域影響甚微;因?yàn)樾碌臄?shù)位電源市場(chǎng)需要客制化的解決方案,而數(shù)位訊號(hào)處理器(DSP)或是現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)則可滿足此需求。
微芯dsPIC DSC的GS系列正是為了全數(shù)位電源控制的需求所做的設(shè)計(jì)。這些裝置可以使用在非線性、預(yù)測(cè)和適應(yīng)控制運(yùn)算法以將電源效能增加至最大限度。DSC同樣讓客戶可以使用自己的控制技術(shù)并產(chǎn)生差異化方案,進(jìn)而創(chuàng)造凌駕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品價(jià)值。
另一方面,為了降低數(shù)位電源的進(jìn)入門檻,晶片商亦正積極發(fā)展開(kāi)放式平臺(tái),讓不懂?dāng)?shù)位設(shè)計(jì)的類比電源工程師,也能透過(guò)簡(jiǎn)易的使用者介面快速上手,進(jìn)而設(shè)計(jì)出差異化的數(shù)位電源系統(tǒng)方案。
降低數(shù)位電源進(jìn)入門檻ST力拓開(kāi)放式平臺(tái)
Sandrini表示,在數(shù)位電源市場(chǎng)上,成本并不是唯一擴(kuò)展市場(chǎng)的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)人員擁有很強(qiáng)的類比電源背景,基本上不會(huì)有人要求類比電源工程師撰寫軟體;相反地,軟體工程師則幾乎沒(méi)有電力電子設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。不過(guò),目前開(kāi)發(fā)數(shù)位電源系統(tǒng)的辦法,是讓有經(jīng)驗(yàn)的電源工程師和軟體工程師合作,然而這導(dǎo)致開(kāi)發(fā)人員的數(shù)量增加一倍,僅有為數(shù)不多的企業(yè)能夠承擔(dān)如此龐大的研發(fā)經(jīng)費(fèi)。
Sandrini進(jìn)一步剖析,如果想要真正地推廣數(shù)位電源技術(shù),對(duì)于那些原本熟悉電磁設(shè)計(jì)和印刷電路板布局而不懂繪圖使用者介面(軟體發(fā)展工具)的工程師,晶片商必須針對(duì)他們的不足提供能夠使用的數(shù)位電源解決方案,使其毋須自行動(dòng)手寫軟體代碼,即可獲得數(shù)位電源的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。如此一來(lái),方能進(jìn)一步降低進(jìn)入數(shù)位電源市場(chǎng)的技術(shù)門檻。
有鑒于此,意法半導(dǎo)體針對(duì)電源推出專用的數(shù)位控制平臺(tái)--STNRG,該平臺(tái)整合硬體周邊設(shè)備和相關(guān)應(yīng)用軟體代碼,在不久前又針對(duì)無(wú)線充電推出數(shù)位控制平臺(tái)--STWBC,此為一個(gè)內(nèi)建專用韌體的封閉式平臺(tái)。
據(jù)了解,STNRG平臺(tái)在單一晶片上整合數(shù)位晶片和功率區(qū)塊,其中數(shù)位晶片內(nèi)建韌體(特定開(kāi)關(guān)式電源專用韌體)。意法半導(dǎo)體不僅提供數(shù)位控制器、韌體和高壓驅(qū)動(dòng)電路,還提供金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)和整流管,期能成為一站式供應(yīng)商。Sandrini堅(jiān)信,透過(guò)各種簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程的應(yīng)用平臺(tái),將會(huì)為意法半導(dǎo)體帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),使該公司的數(shù)位電源產(chǎn)品受到客戶青睞。
另一值得注意的是,提升數(shù)位電源系統(tǒng)的單位功率密度(Power Density),可謂是數(shù)位電源相關(guān)供應(yīng)商目前有志一同所競(jìng)逐的目標(biāo);而為了達(dá)到此目的,新元件、新技術(shù)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)也須加快腳步;其中,氮化鎵(GaN)MOSFET應(yīng)用正漸露鋒芒。
提高數(shù)位電源功率密度GaN MOSFET應(yīng)用受矚目
為提升數(shù)位電源系統(tǒng)單位功率密度,包括德州儀器等電源晶片大廠已全力投入GaN MOSFET的應(yīng)用效能研究。現(xiàn)階段,GaN MOSFET在功耗、導(dǎo)通電阻及電源轉(zhuǎn)換效率等方面,表現(xiàn)皆已可超越傳統(tǒng)MOSFET方案,但要大量商用仍須克服制程及成本等問(wèn)題。

責(zé)任編輯:葉雨田
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