目前看來，HIT是最有競(jìng)爭(zhēng)力的下一代光伏電池技術(shù)。HIT叫法繁多，沒有形成統(tǒng)一名稱，各個(gè)廠商各自為戰(zhàn)，明明是一樣的技術(shù)路線，各家公司卻偏要叫不同的名字，HIT、HJT、HDT、SHJ其實(shí)指的是同一個(gè)東西，都是指異質(zhì)結(jié)光伏電池。現(xiàn)在正處于HIT產(chǎn)業(yè)推廣的初期，消費(fèi)者還沒有對(duì)HIT的優(yōu)勢(shì)形成清晰認(rèn)知，各個(gè)廠家卻又要標(biāo)新立異起不同的名字，使得下游電站業(yè)主傻傻地分不清楚，增加認(rèn)知難度，不利產(chǎn)業(yè)推廣，所以此處我呼吁國(guó)內(nèi)重要HIT技術(shù)路線上的廠家，盡快統(tǒng)一路線名稱，為大家理解HIT發(fā)電優(yōu)勢(shì)掃清認(rèn)知障礙。由于為本文寫作提供大量幫助的易治凱先生習(xí)慣于把異質(zhì)結(jié)電池叫做HIT，所以本文使用HIT這個(gè)名字。

HIT專利從2015年過期，現(xiàn)在各家發(fā)展HIT已無專利方面的障礙，核心障礙在于如何把成本做低，HIT成本方面的障礙主要來自1、設(shè)備未完成國(guó)產(chǎn)化單位產(chǎn)能投資額度較高;2、產(chǎn)量較小導(dǎo)致N型硅片、關(guān)鍵輔材價(jià)格較高。第二個(gè)問題是一個(gè)先有雞還是先有蛋的問題，所以HIT真正想獲得量產(chǎn)突破，必須實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化突破并把單位產(chǎn)能的投資成本大幅降低。這些年我們國(guó)家在高精尖設(shè)備領(lǐng)域接連突破，我國(guó)的裝備制造業(yè)正在快速由大變強(qiáng)，這也是我對(duì)HIT技術(shù)路線如此有信心的原因所在。

一、看好HIT電池路線的原因

看好HIT技術(shù)路線是因?yàn)椋?/p>

更高的效率潛力(目前最高25.6%，疊加IBC的效率記錄是26.63%)

更高的雙面率(理論雙面率可做到98%)

更大的降成本潛力(工藝步驟少、硅片薄片化潛力大)

更低的衰減(無P型組件常見的光致衰減現(xiàn)象)

更優(yōu)秀的溫度系數(shù)(溫度系數(shù)為-0.258%，常規(guī)晶硅電池為-0.46%)

更適合與疊瓦技術(shù)相結(jié)合(HIT電池柔性不易隱裂，更適合)

下面我們逐條分析HIT電池的每一個(gè)點(diǎn)。

1、更高的效率潛力

HIT采用N型硅片具有較高的少子壽命，同時(shí)HIT采用特殊的非晶硅鈍化的對(duì)稱結(jié)構(gòu)可以獲得較低的表面復(fù)合速率，這些特點(diǎn)是的HIT電池可以獲得很高的開路電壓(HIT電池開路電壓740mv、perc電池開路電壓660mv，引述自易治凱先生)，最終效率潛力比目前P-perc電池片要高1.5～2%。實(shí)驗(yàn)室效率記錄方面，P-perc電池目前最高實(shí)驗(yàn)室效率最近由晶科能源取得23.95%;三洋則是HIT電池效率記錄的保持者，效率為25.6%。量產(chǎn)平均電池效率方面，目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的P-perc電池效率可做到21.7%，年底實(shí)現(xiàn)22%的效率水平;而以晉能科技為代表的HIT目前量產(chǎn)電池片效率為23.27%，年底有望實(shí)現(xiàn)24%的平均量產(chǎn)效率。

2、更高的雙面率

HIT電池由于其獨(dú)特的雙面對(duì)稱結(jié)構(gòu)使其更易于制作成雙面電池，目前雙面率在85%，而未來真正成熟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的時(shí)候，HIT雙面率有望達(dá)到95+%的水平，這就意味著未來某個(gè)不走心的安裝工人把HIT組件正反面安反了，其實(shí)際發(fā)電功率也不會(huì)有太大損失。P-perc方面目前隆基已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了82%的雙面率，這已經(jīng)非常了不起的成績(jī)了，但是由于其特殊的背面開槽的結(jié)構(gòu)，未來再把雙面率做高將會(huì)面臨越來越多的困難。

3、更大的降成本潛力

HIT電池雖然目前成本更高，但是未來降本的空間十分巨大，而且我認(rèn)為在相關(guān)條件成熟時(shí)，HIT組件的成本甚至有潛力低于P-perc組件，這主要是由于第一：HIT電池加工溫度低(240度)所使用到的硅片有潛力做到更薄，HIT電池未來真正成熟之際，可使用100微米厚度的硅片;而P-perc繼續(xù)降低硅片厚度的空間十分有限，由于其背部的鋁背場(chǎng)溫度系數(shù)和硅片溫度系數(shù)不同，過薄的P型硅片容易產(chǎn)生隱裂，此外P型電池?cái)U(kuò)散工藝的加工溫度為800～900度，過薄的硅片容易在高溫下翹邊。第二：除了硅片薄化的降本空間更大以外，HIT的工藝步驟也更為簡(jiǎn)便，全部生產(chǎn)流程的工藝步驟僅為四步;而晶科P-perc電池為了實(shí)現(xiàn)23.9%的轉(zhuǎn)化效率需要疊加多種工藝，工藝步驟在十步以上。

HIT組件成本可以做到更低的第三個(gè)原因主要來自于效率更高帶來的封裝成本的降低上。目前一張60型組件的含稅封裝成為約為220元/片，封裝成本主要包含光伏玻璃、EVA膠膜、鋁框、背板等等，降本空間有限，成本較為剛性。所以三年后HIT電池真正爆發(fā)之際，我們假設(shè)封裝成本依舊為220元/片依舊合理。三年后HIT電池真正爆發(fā)之際P-perc組件功率有望達(dá)到330W，而HIT組件的功率有望達(dá)到360W，僅比較正面功率的情況下，HIT組件單瓦封裝成本比Perc組件低220÷330-220÷360=0.056，這就意味著未來HIT組件在單瓦封裝成本上可比perc組件低約6分錢。此處我們簡(jiǎn)單總結(jié)一下，HIT組件未來得益于更薄的硅片、更少的加工步驟和更低的封裝成本，在克服設(shè)備環(huán)節(jié)的問題以后，單瓦成本有望更低。