3.2、黑心片（黑團(tuán)片）

(1)產(chǎn)生原因：在直拉硅棒生產(chǎn)過(guò)程中，晶體定向凝固時(shí)間縮短，熔體潛熱釋放與熱場(chǎng)溫度梯度失配，晶體生長(zhǎng)速率加快，過(guò)大的熱應(yīng)力導(dǎo)致硅片內(nèi)部位錯(cuò)缺陷。(2)成像特點(diǎn)：黑芯或黑團(tuán)片在EL成像圖中可以清晰的看到從電池片中心到邊緣逐漸變亮的同心圓，從而導(dǎo)致缺陷的部分在EL測(cè)試過(guò)程中表現(xiàn)為發(fā)光強(qiáng)度較弱或不發(fā)光。從而形成復(fù)合密集區(qū)，在通電情況下電池片中心一圈呈現(xiàn)黑色區(qū)域。如圖4、5所示。(3)組件影響：組件出現(xiàn)此缺陷后，長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，會(huì)造成熱擊穿;在使用組件測(cè)試儀測(cè)試組件IV測(cè)試特性曲線時(shí)，測(cè)試曲線呈現(xiàn)臺(tái)階形狀;同時(shí)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行會(huì)導(dǎo)致組件功率下降。

圖4、EL測(cè)試成像(黑心)

圖5、EL測(cè)試成像(黑團(tuán))

3.3、短路黑片（非短路黑片）

(1)產(chǎn)生原因：組件單串焊接過(guò)程中造成的短路;組件層壓前，混入了低效電池片造成;硅片使用上錯(cuò)用N型片，無(wú)PN結(jié)，故EL成像為全黑;(2)成像特點(diǎn)：組件某個(gè)位置出現(xiàn)1塊或多塊電池片呈現(xiàn)全黑現(xiàn)象;(3)組件影響：會(huì)造成組件IV測(cè)試曲線呈現(xiàn)臺(tái)階，組件功率和填充因子都會(huì)受到較大影響。使被短路的電池片不能對(duì)外提供功率，整塊組件輸出功率降低，IV測(cè)試曲線最大功率下降。如圖6、7所示。

圖6、EL測(cè)試成像(短路黑片)

圖7、EL測(cè)試成像(短路黑片)

3.4、斷柵

(1)產(chǎn)生原因：電池片本身柵線印刷不良或電池片不規(guī)范焊接;絲網(wǎng)印刷參數(shù)設(shè)置不當(dāng)或絲網(wǎng)印刷質(zhì)量不過(guò)關(guān);硅片切割不均勻，可能出現(xiàn)斷層現(xiàn)象;(2)成像特點(diǎn)：EL成像圖中電池片的斷柵處發(fā)光強(qiáng)度較弱或不發(fā)光;(3)組件影響：組件短路電流、并聯(lián)電阻、填充因子及效率均下降，而串聯(lián)電阻增大，開(kāi)路電壓影響較小。如圖8、9所示。

圖8、EL測(cè)試成像(斷柵)

4、結(jié)束語(yǔ)

通過(guò)對(duì)以上組件EL成像缺陷分析，可以看出太陽(yáng)能電池電致發(fā)光(Electroluminescence)測(cè)試在短時(shí)間內(nèi)就能確定太陽(yáng)能電池及組件缺陷情況及其分布，通過(guò)EL成像可以快速準(zhǔn)確測(cè)出太陽(yáng)能電池及組件可能存在隱裂、破片、斷柵、黑芯片、黑團(tuán)片、短路黑片等缺陷情況。通過(guò)對(duì)各自EL成像特點(diǎn)和影響分析，缺陷可以造成組件串聯(lián)電阻增大、并聯(lián)電阻減小、輸出功率降低及光電轉(zhuǎn)換率下降等不良問(wèn)題。同時(shí)通過(guò)分析EL成像，也有助于完善和改進(jìn)太陽(yáng)能電池組件生產(chǎn)工藝，控制產(chǎn)品質(zhì)量、提高組件成品率、避免生產(chǎn)過(guò)程中的浪費(fèi)，對(duì)太陽(yáng)能電池組件生產(chǎn)和檢測(cè)有著重要的指導(dǎo)意義。